紫外線LED通常是指發光中心波長低於400nm的LED，但當發光波長大於380nm時有時稱為近紫外線LED，而短於300nm時則稱為深紫外線LED。 由於短波光具有很高的殺菌作用，紫外線LED通常用於冰箱和家用電器的殺菌和除臭[1]。
就產品而言，日亞化學工業推出了發射中心波長在365nm至385nm範圍內的品種，而Nitride Semiconductor推出了發射中心波長在355nm至375nm之間的品種。
波長小於300nm的深紫外LED的開發活動也很活躍。 2008年，物理化學研究所和鬆下電工株式會社宣布，使用GaN半導體的InAlGaN已開發出深紫外LED，其中心波長為282nm，光輸出為10mW。 就較短波長的深紫外LED而言，NTT物理科學技術學院使用AlN材料開發了一種中心發射波長為210nm的深紫外LED。
紫外線LED（UVLED）主要用於生物醫學，防偽識別，淨化（水，空氣等），計算機數據存儲和軍事領域。 隨著技術的發展，新的應用將繼續取代原來的技術和產品。 UV LED具有廣闊的市場應用前景。 例如，UV LED光療是未來非常流行的醫療設備，但當前的技術仍處於增長期。
國產UV LED的發展狀況
國家“十一五” 863計劃“半導體照明項目”，新材料技術領域的重大項目，“深層UV LED的製備及應用技術研究” 已經進行了持續的研究，並且屬於高鋁領域。在材料研究和設備應用方麵取得了重大突破。
半導體深紫外光源在照明，消毒，醫療，印刷，生化測試，高密度信息存儲和機密通信中具有巨大的應用價值。 以AlGaN材料為有源區的深紫外LED的發光波長可以覆蓋210-365nm的紫外波段，是實現該波段深紫外LED器件產品的理想材料，具有其他優點。 傳統的紫外線光源無法比擬。
在國家863計劃的支持下，研究團隊專注於基於MOCVD的深紫外LED材料和器件的研究，著重於解決表麵裂紋，晶體質量差，鋁成分低以及無法實現短路的問題。 波長光發射。 在結構材料設計等問題上，一些關鍵技術取得了突破，獲得了晶體質量高，無裂紋的高鋁成分材料。 在此基礎上，受試者在中國首次成功地在中國製備了300nm以下的深紫外LED裝置，達到了裝置的毫瓦級功率輸出，並開發了深紫外殺菌模塊。 滅菌率達到95？

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